Producir celdas solares más rápido y barato

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Una manera para producir celdas solares más rápido y barato es fabricar células solares de silicio, parcialmente financiado por el Departamento de Energía de los EEUU y su Laboratorio Nacional de Energía Renovable (NREL), que ha ganado un codiciado premio D 100 R y como una de las innovaciones tecnológicas más punteras de 2013.
El enfoque de Crystal Solar a la creciente de alta calidad son unas obleas de silicio de alta eficiencia a 100 veces el rendimiento habitual y la mitad del costo. Las células solares de silicio monocristalino hechas por Crystal Solar están mucho más cerca de las plazas de confianza que la mayoría de las células solares de silicio. La forma es una de las razones de las obleas pueden apilarse verticalmente durante el proceso de deposición de gas; y una de las razones por las que las células se pueden producir en alrededor de 100 veces la tasa normal.

Incluso antes de que se fundara Crystal Solar, TS Ravi, director ejecutivo de la compañía con sede en California de Santa Clara, estableció el objetivo de acelerar el proceso de fabricación. En 2011, su compañía naciente solicitó fotovoltaica (PV) Programa de Incubadora de Iniciativa SunShot del Departamento de Energía, que en ese momento se queda sin NREL. El Programa de Incubadora PV tiene un proceso de selección muy competitivo, en busca de ideas que son realmente perjudiciales en términos de reducción de los costos.

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“Hemos aplicado para el programa y se seleccionaron a finales de 2011″, afirma Ravi, recordando una conversación que tuvo hace varios años con la NREL “Yo sabía que si pudieramos poner montón un de obleas juntas, y encontrar una manera de eliminar la oblea epitaxial con un simple proceso mecánico, podría cambiar el juego en la industria solar.”

El método Crystal Solar se basa en la inyección de “gas a agua” y es epitaxial, lo que significa que genera una capa de material en la parte superior de otro material que tiene la misma estructura cristalina. En el método de “gas hacia agua” (cuyo nombre oficial es Direct Monocrystalline Silicon Wafer Growth by High-Throughput Epitaxy) capas gaseosas de silicio semiconductor se cultivan directamente sobre sustratos de silicio reutilizables. El método tiene varias ventajas, incluyendo la eliminación de los residuos generados en el enfoque tradicional, que implica aserrado rodajas finas de un gran lingote o bloque de silicio. En el nuevo enfoque, las obleas pueden ser más delgadas sin comprometer su calidad o eficiencia.

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Acerca de Natán Gasparotti

Ha estudiado Lic. en Cs. de la Comunicación en la UCSF. Fotógrafo, escritor y corrector; cuyos gustos diversos, curiosidad y sed de conocimiento lo han llevado a desempeñarse como escritor para redes de blog sobre temas de interés.
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